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Tema terkuat dalam daftar pendek ini adalah Forschung dan Leistungshalbleiter.
Sumber: Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (IMiF)
Deskripsi
Forschungsdienstleistungen zur Entwicklung von Leistungshalbleitern der nächsten Generation basierend auf GaN- und SiC-Substraten.
Paling cocok untuk
Leistungselektronik, Materialtests dan Elektromobilität
Penilaian
Sumber: Aixtron SE
Deskripsi
The G10 series provides high-throughput epitaxy systems specifically engineered for Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN), and Arsenide Phosphide (AsP) applications. These MOCVD platforms are designed for high-volume manufacturing in the power electronics and radio frequency (RF) sectors, ensuring uniform layer growth and cost-efficient production of complex semiconductor structures.
Paling cocok untuk
Power electronics manufacturers, High Volume semiconductor production, RF application development dan SiC and GaN epitaxy
Penilaian
Sumber: Infineon Technologies AG
Deskripsi
Une gamme leader de semi-conducteurs de puissance basée sur les technologies de carbure de silicium (SiC) et de nitrure de gallium (GaN), optimisant la gestion de l'énergie pour l'automobile et l'industrie. Ces composants permettent une haute efficacité énergétique et une réduction des pertes de puissance dans les systèmes de conversion.
Paling cocok untuk
Gestion de l'énergie, Mobilité électrique, Systèmes industriels dan Haute efficacité
Penilaian
| Bandingkan | Entwicklung von Galliumnitrid (GaN)- und Siliziumkarbid (SiC)-Technologien | G10-SiC/GaN/AsP | Semi-conducteurs de puissance (SiC, GaN) |
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| Sumber | Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (IMiF) | Aixtron SE | Infineon Technologies AG |
| Deskripsi | Forschungsdienstleistungen zur Entwicklung von Leistungshalbleitern der nächsten Generation basierend auf GaN- und SiC-Substraten. | The G10 series provides high-throughput epitaxy systems specifically engineered for Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN), and Arsenide Phosphide (AsP) applications. These MOCVD platforms are designed for high-volume manufacturing in the power electronics and radio frequency (RF) sectors, ensuring uniform layer growth and cost-efficient production of complex semiconductor structures. | Une gamme leader de semi-conducteurs de puissance basée sur les technologies de carbure de silicium (SiC) et de nitrure de gallium (GaN), optimisant la gestion de l'énergie pour l'automobile et l'industrie. Ces composants permettent une haute efficacité énergétique et une réduction des pertes de puissance dans les systèmes de conversion. |
| Paling cocok untuk | Leistungselektronik, Materialtests dan Elektromobilität | Power electronics manufacturers, High Volume semiconductor production, RF application development dan SiC and GaN epitaxy | Gestion de l'énergie, Mobilité électrique, Systèmes industriels dan Haute efficacité |
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"Entwicklung von Galliumnitrid (GaN)- und Siliziumkarbid (SiC)-Technologien dari Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (IMiF)."
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